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　　清洗不僅是半導(dǎo)體制造工藝的重要組成部分，也是影響半導(dǎo)體器件成品率的重要因素之一。清洗是晶圓加工和制造過(guò)程中的一個(gè)重要部分。為了將雜質(zhì)對(duì)芯片成品率的影響降低，在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，不僅要保證單次清洗的效率，而且要在幾乎所有工藝前后進(jìn)行頻繁的清洗。它是單晶硅晶片制造、光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵工藝中必不可少的環(huán)節(jié)。

　　1、在硅片制造過(guò)程中，需要對(duì)拋光硅片進(jìn)行清洗，以保證其表面平整度和性能，從而提高后續(xù)加工的成品率。

　　2、在晶圓制造過(guò)程中，需要在光刻、蝕刻、離子注入、脫膠、成膜、機(jī)械拋光等關(guān)鍵工序前后對(duì)晶圓進(jìn)行清洗，以去除晶圓污染的化學(xué)雜質(zhì)，降低缺陷率，提高成品率。

　　3、在芯片封裝過(guò)程中，需要根據(jù)封裝工藝對(duì)芯片進(jìn)行TSV(硅穿孔)清洗、UBM/RDL(凸點(diǎn)底部金屬/膜重分布技術(shù))清洗和鍵合清洗。

　　在進(jìn)入每個(gè)工藝之前，硅片表面必須清潔，清潔步驟必須重復(fù)多次，以去除表面上的污染物。芯片制造需要在無(wú)塵室內(nèi)進(jìn)行。在芯片制造過(guò)程中，任何污染都會(huì)影響芯片上器件的正常功能。污染雜質(zhì)是指半導(dǎo)體制造過(guò)程中引入的任何物質(zhì)，這些物質(zhì)會(huì)危及芯片的產(chǎn)量和電氣性能。具體污染物包括顆粒物、有機(jī)物、金屬和天然氧化層。這些污染物包括來(lái)自環(huán)境、其他制造工藝、蝕刻副產(chǎn)品、研磨液等。如果不及時(shí)清除上述受污染的雜質(zhì)，可能導(dǎo)致后續(xù)工藝失敗，導(dǎo)致電氣故障，導(dǎo)致芯片報(bào)廢。

　　隨著半導(dǎo)體工業(yè)的不斷發(fā)展，對(duì)清潔水的電導(dǎo)率、離子含量、TOC、DO和顆粒物的要求越來(lái)越嚴(yán)格。由于超純水在許多指標(biāo)上對(duì)半導(dǎo)體的要求很高，因此半導(dǎo)體行業(yè)的超純水與其他行業(yè)的用水要求不同。半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)超純水有極其嚴(yán)格的水質(zhì)要求。目前，中國(guó)常用的超純水標(biāo)準(zhǔn)有國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電子級(jí)水》(GB/T 11446.1-2013)和美國(guó)標(biāo)準(zhǔn)《電子和半導(dǎo)體行業(yè)用超純水指南》(ASTM-D5127-13)。美國(guó)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)指標(biāo)要求更嚴(yán)格。

　　超純水在生產(chǎn)過(guò)程中，要經(jīng)過(guò)預(yù)處理系統(tǒng)、雙級(jí)反滲透系統(tǒng)、EDI系統(tǒng)、拋光混床和終端超濾等過(guò)程。超純水膜元件特別適用于電子級(jí)超純水EDI系統(tǒng)前處理工藝，可以有效控制電子級(jí)超純水系統(tǒng)的TOC含量。EDI系統(tǒng)前處理工藝是雙級(jí)反滲透系統(tǒng)工藝，超純水反滲透膜作為核心膜元件，具有高脫鹽率，高抗污染，對(duì)硼，硅，鍺等元素的高去除率，TOC溶出率更低，從而減小后續(xù)系統(tǒng)處理壓力，提高后續(xù)系統(tǒng)的使用周期和使用效果。

　　德蘭梅爾SCW超純水反滲透膜元件的化學(xué)清洗周期長(zhǎng)，出水水質(zhì)穩(wěn)定，是超純水處理的理想選擇。德蘭梅爾膜元件在海水淡化，工業(yè)純水，電子超級(jí)水，中水回用，生物制藥，食品行業(yè)分離濃縮等領(lǐng)域都發(fā)揮著重要作用。