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　　晶圓是指用于制造硅半導(dǎo)體電路的硅片。它的原材料是硅。將高純度多晶硅溶解，與硅晶種混合，然后緩慢拉出，形成圓柱形單晶硅。經(jīng)過研磨、拋光和切片后，形成硅晶圓片，即硅片。晶圓的主要加工方法是片加工和批加工，即一個(gè)或多個(gè)晶圓同時(shí)加工。隨著半導(dǎo)體的特征尺寸越來越小，加工和測量設(shè)備越來越高科技，晶圓加工中出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特征。同時(shí)，特征尺寸的減小增加了空氣中顆粒數(shù)量對晶圓加工質(zhì)量和可靠性的影響。隨著清潔度的提高，顆粒數(shù)量也呈現(xiàn)出新的數(shù)據(jù)特征。晶圓成品率的提高直接關(guān)系到芯片的市場競爭力。

　　提高晶圓產(chǎn)量可以從清潔水質(zhì)開始。超純水是精密元器件生產(chǎn)質(zhì)量的重要保證。目前，電子晶圓行業(yè)超純水系統(tǒng)大多采用反滲透膜+EDI+拋光混床的生產(chǎn)工藝。這是一種環(huán)境友好、經(jīng)濟(jì)且有潛力的超純水制備工藝。與傳統(tǒng)超純水制備工藝相比，該工藝再生不需要回收化學(xué)品。EDI水處理工藝不需要添加任何化學(xué)品，減少了化學(xué)品的運(yùn)輸，降低了系統(tǒng)的運(yùn)行成本，不需要中和劑。EDI膜塊不產(chǎn)生酸堿廢液，不需要酸堿中和罐。EDI水處理系統(tǒng)產(chǎn)生的濃縮水一般可以回收利用。整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行成本較低，有效提高了水資源的利用率。

　　反滲透“膜”法履行保護(hù)晶圓純度的職責(zé)，持續(xù)穩(wěn)定地制備滿足晶圓生產(chǎn)需要的超純水，產(chǎn)水電導(dǎo)率可達(dá)18MΩ·CM(25℃)。